Тип оперативной памяти lpddr3

До сих пор производители смартфонов и планшетов решали проблему нехватки оперативной памяти простым наращиванием объема RAM, используя старые технологии. Лишь недавно эта тенденция была переломлена, и вендоры начали задумываться об использовании более прогрессивных технологий, постепенно заменяя неэффективные чипы DDR3 и DDR4 новейшими – LPDDR2 и LPDDR3. Ожидается, что LPDDR3 станет основой мобильной оперативной памяти в будущем году.

До настоящего момента в мобильные устройства устанавливались модули памяти DRAM, которые были разработаны и оптимизированы для настольных компьютеров, а значит предназначены для решения мощных задач и гораздо менее энергоэффективны. Однако, DDR гораздо дешевле, что часто играет решающую роль при проектировании нового мобильного устройства.

Ожидается, что в будущем году стандартом мобильной RAM станет LPDDR3, которая заменит LPDDR2. Новое решение как нельзя лучше подойдёт для работы с быстрыми процессорами, дисплеями высокого разрешения и 3D-графикой. Новая мобильная DRAM может передавать данные со скоростью до 1600 Мбит в секунду, что на 50% быстрее LPDDR2. Суммарная пропускная способность новой памяти составляет 12,8 Гбит в секунду, что позволяет проигрывать Full HD-видео на экранах больше пяти дюймов без каких-либо задержек. Кроме того, третье поколение DRAM потребляет меньше энергии: 1,8 В против 2,5 В в чипах прошлого поколения. Кстати, аббревиатура LPDDR означает "Low Power DDR". Ведущими производителями LPDDR на сегодняшний день являются Micron Technology и Samsung.

Между тем, производители уже работают над LPDDR4, и мы ожидаем увидеть ограниченный выпуск чипов уже в 2015 году.

LPDDR — тип оперативной памяти для смартфонов и планшетов. Известен также под названиями mDDR, Low Power DDR.

Читайте также:  Тип светодиодной подсветки edge led

Поддерживаются устройства со стандартом JEDEC 209 [1] .

Содержание

LPDDR [ править | править код ]

Оригинальная LPDDR (LPDDR1) — модификация памяти DDR SDRAM c некоторыми изменениями для снижения энергопотребления.

Важнейшее изменение — снижение напряжения питания с 2,5 до 1,8V. Дополнительная экономия осуществляется за счет увеличения времени обновления при низкой температуре (DRAM реже обновляется при низких температурах), частичный блок самообновления и режим «Глубокий сон» (deep power down), который стирает из памяти абсолютно все. Плюс ко всему, чипы очень маленького размера и, соответственно, занимают меньше места на плате, чем их компьютерные аналоги. Samsung и Micron являются ведущими производителями и поставщиками этого типа памяти и используется на таких планшетах, как Apple iPad, Samsung Galaxy Tab и в телефоне Motorola Droid X.

LPDDR2 [ править | править код ]

Новый стандарт JEDEC JESD209-2E переработан для низкопотребляемых интерфейсов DDR. Он не совместим с DDR и DDR2 SDRAM, но может размещаться в следующих интерфейсах:

  • LPDDR2-S2: 2n память с предвыборкой (DDR1);
  • LPDDR2-S4: 4n память с предвыборкой (DDR2);
  • LPDDR2-N: Энергонезависимая (NAND flash) память.

Памяти с низким энергопотреблением похожи на стандартную LPDDR, но с некоторыми изменениями в блоке перезарядки.

Тайминги задаются для LPDDR-200 LPDDR-1066 (тактовая частота от 100 до 533 МГц).

Работа в 1,2 В, LPDDR2 мультиплексирует контроль по адресной линии 10-битной двухтактовой шины передачи данных CA. Команды аналогичны компьютерным модулям SDRAM, за исключением перераспределения предварительной зарядки, и коды операции предотвращения возгораний.

LPDDR3 [ править | править код ]

В мае 2012 [2] JEDEC опубликовал стандарт JESD209-3 «Low Power Memory Device Standard» [3] . По сравнению с LPDDR2, в LPDDR3 предлагается более высокая скорость обмена данными, увеличенная энергоэффективность и большая плотность памяти. Память LPDDR3 может работать на скоростях до 1600 MT/s (миллионов передач в секунду) и использует такие новые технологии как: write-leveling, command/address training [4] , опциональное внутрисхемное терминирование (optional on-die termination, ODT), а также имеет низкую ёмкость контактов ввода-вывода. LPDDR3 допускает как микросборки package-on-package (PoP), так и использование отдельных микросхем памяти.

Читайте также:  Ignore gpu blacklist и enable gpu rasterization

Кодирование команд идентично LPDDR2, они передаются по 10-битной шине CA с удвоением частоты следования данных (double data rate) [3] . Однако стандарт включает в себя описание только DRAM типа 8n-prefetch, и не описывает команды управления для флеш-памяти.

Samsung предполагал, что LPDDR3 дебютирует в 2013 году с частотами 800 МГц (1600 MT/s), предоставляя пропускную способность, сравнимую (без учёта многоканальности) с ноутбучной памятью PC3-12800 SO-DIMM 2011 года (12,8 ГБ/с) [5] . Массовый выпуск 3-гигабайтной LPDDR3 компанией Samsung Electronics был объявлен 24 июля 2013 года [ источник не указан 1450 дней ] .

Такой тип памяти используется, к примеру, в телефоне Samsung Galaxy S4 [6] .

LPDDR4 [ править | править код ]

Модули памяти LPDDR4 отличаются увеличенной скоростью передачи данных по сравнению с предыдущим поколением LPDDR3, которая возросла до 17 ГБ/с [ источник не указан 675 дней ] . Энергопотребление, напротив, снизилось на 40 % и составляет 1,1 Вт, что означает увеличенное время автономной работы устройств от аккумулятора. [ источник не указан 1926 дней ]

Разрабатывается с марта 2012 года в JEDEC [7] . В конце 2013 года Samsung сообщила о выпуске 20 нм класса (техпроцесс от 20 до 29 нм) чипа на 8 гигабит (1 Гб) в стандарте LPDDR4 с ПСП 3200 MT/s, что на 50 % выше LPDDR3, а также на 40 % менее энергопотребляющей при напряжении 1.1 вольта [8] .

25 августа 2014 года JEDEC выпустила стандарт JESD209-4 «LPDDR4 Low Power Memory Device» [9] .

Такой тип памяти используется в телефоне Samsung Galaxy S7.

Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) объявил о завершении работ над стандартом оперативной памяти LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4).

Память LPDDR4, представляющая собой дальнейшее развитие LPDDR3, рассчитана на мобильные устройства, в частности, смартфоны и планшетные компьютеры. Переход на память нового типа позволит повысить быстродействие гаджетов и уменьшить их энергопотребление.

Читайте также:  Что значит power off

Отмечается, что LPDDR4 обеспечивает двукратное увеличение производительности по сравнению с LPDDR3: 4266 млн пересылок в секунду (MT/s) против 2133 млн. Правда, у первых коммерческих изделий LPDDR4 этот показатель составит 3200 млн пересылок в секунду.

Для двукратного увеличения быстродействия памяти была задействована новая двухканальная архитектура (2 × 16 бит).

При разработке стандарта LPDDR4 большое внимание уделялось снижению энергопотребления. Напряжение питания уменьшено до 1,1 В против 1,2 В у памяти LPDDR3. В целом сокращение потребления энергии достигает 40 %.

Первые коммерческие устройства с памятью LPDDR4, по всей видимости, появятся не ранее 2015 года. Дополнительную информацию о стандарте LPDDR4 можно найти здесь.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *